用于沉积系统的高流量多通活塞阀

授权

摘要

与用于将膜沉积在晶片上的处理室一起使用的阀组件。阀主体围绕孔腔并包括入口、第一出口和第二出口，出口中的至少一者通向处理室内。活塞包括具有第一流动路径的第一区段和具有第二流动路径的第二区段。线性运动致动器适于与活塞耦合并控制活塞通过孔腔在第一位置和第二位置之间的线性运动。在第一位置中，活塞的第一区段与入口对齐，使得流体经由第一流动路径流至第一出口。在第二位置中，活塞的第二区段与入口对齐，使得流体经由第二流动路径流至第二出口。

基本信息

专利标题：

用于沉积系统的高流量多通活塞阀

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112368816A

申请号：

CN201980042137.4

公开（公告）日：

2021-02-12

申请日：

2019-05-16

授权号：

CN112368816B

授权日：

2022-04-15

发明人：

詹姆斯·艾萨克·福特纳罗伯特·拉什亚伦·贝尔克冯敬斌

申请人：

朗姆研究公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

上海胜康律师事务所

代理人：

李献忠

优先权：

CN201980042137.4

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/687 H01L21/02

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-04-15 ：

授权

2021-06-18 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190516

2021-02-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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