一种并联芯片温度均匀性检测方法及装置
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摘要

本发明公开了一种并联芯片温度均匀性检测方法及装置,该检测方法包括如下步骤:将工作状态下的待测模块置于多个预设温度中,计算多个预设温度下待测模块的关断时间和关断延迟时间,待测模块包括并联的多个芯片;根据多个预设温度下的关断时间和关断延迟时间计算得到关断时间曲线和关断延迟时间曲线;将待测模块置于工作环境下,计算待测模块的关断时间测量值和关断延迟时间测量值;根据关断延迟时间测量值、关断时间曲线及关断延迟时间曲线计算得到关断时间计算值;根据关断时间测量值和关断时间计算值判断待测模块的温度均匀性。通过实施本发明,可以实现温度均匀性的无损检测,同时测量装置和测量方法简单,易操作。

基本信息
专利标题 :
一种并联芯片温度均匀性检测方法及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111142002A
申请号 :
CN202010030828.7
公开(公告)日 :
2020-05-12
申请日 :
2020-01-13
授权号 :
CN111142002B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
李尧圣李翠杜玉杰刘颖含郭春生王思晋
申请人 :
全球能源互联网研究院有限公司
申请人地址 :
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
代理机构 :
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 :
张琳琳
优先权 :
CN202010030828.7
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  G01K13/00  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-29 :
授权
2020-06-05 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20200113
2020-05-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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