芯片中心点的测量方法以及芯片中心点偏移量的测量方法

授权

摘要

本发明公开了一种芯片中心点的测量方法，包括：识别感光芯片中未被遮挡的第一顶角和第二顶角以及第一顶角和第二顶角在感光芯片中的位置，并定位第一顶角和第二顶角的坐标；接收输入的感光芯片的尺寸；根据感光芯片的尺寸、第一顶角的坐标以及第二顶角的坐标，计算出感光芯片中被遮挡的第三顶角或/和第四顶角的坐标；根据第一顶角的坐标和第二顶角的坐标以及第三顶角或/和第四顶角的坐标，计算出感光芯片的感光芯片中心点的坐标。只通过感光芯片上相邻的两个顶角来测量出感光芯片中心点，从而测量出感光芯片中心的偏移量，因此，可以将封装壳的开窗做得更小，减小摄像模组的尺寸。本发明还公开了一种芯片中心点偏移量的测量方法。

基本信息

专利标题：

芯片中心点的测量方法以及芯片中心点偏移量的测量方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111380459A

申请号：

CN202010196502.1

公开（公告）日：

2020-07-07

申请日：

2020-03-19

授权号：

CN111380459B

授权日：

2022-06-10

发明人：

李晖许杨柳邓爱国

申请人：

昆山丘钛微电子科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市昆山高新技术产业开发区台虹路3号

代理机构：

上海波拓知识产权代理有限公司

代理人：

蔡光仟

优先权：

CN202010196502.1

主分类号：

G01B11/00

IPC分类号：

G01B11/00