具有使用背面衬底减薄形成的半导体插塞的三维存储设备
授权
摘要
公开了3D存储设备及其形成方法的实施例。在示例中，一种3D存储设备包括：存储器叠层，所述存储器叠层包括交错的导电层和电介质层；沟道结构，垂直延伸穿过存储器叠层；以及存储器叠层上方的半导体层。沟道结构包括在沟道结构下部中的沟道插塞，沿沟道结构的侧壁的存储膜，以及在存储膜上方并与沟道插塞接触的半导体沟道。半导体层包括在半导体沟道上方并与半导体沟道接触的半导体插塞。
基本信息
专利标题 ：
具有使用背面衬底减薄形成的半导体插塞的三维存储设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111403413A
申请号 ：
CN202010234341.0
公开（公告）日 ：
2020-07-10
申请日 ：
2018-10-23
授权号 ：
CN111403413B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
刘沙沙肖莉红王恩博卢峰徐前兵
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京永新同创知识产权代理有限公司
代理人 ：
张殿慧
优先权 ：
CN202010234341.0
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-08-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20181023
申请日 : 20181023
2020-07-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
