一种实现ZnO微米线EHP激光的方法
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摘要
本发明公开了一种实现ZnO微米线EHP激光的方法，包括如下步骤：步骤1：在ZnO:Ga微米线上溅射Ag准粒子薄膜，并利用焦耳热效应将ZnO:Ga微米线上的Ag准粒子薄膜转变成大尺寸的AgNPs，形成大尺寸AgNPs包覆ZnO:Ga微米线复合结构；步骤2：利用激光激发出大尺寸AgNPs包覆ZnO:Ga微米线复合结构的EHP激光。本发明可以有效降低单根微米线光泵浦激射的阈值、实现激光输出的增强；并且随着激发功率的增加，激光峰位产生了显著的红移，并伴随着激射峰模间距展宽。基于大尺寸AgNPs包裹单根ZnO:Ga微米线实现了飞秒激光激发下的EHP激射现象。为后续在AgNPs混合四极子共振增强宽禁带半导体光电器件提供了技术支持与实验依据。
基本信息
专利标题 ：
一种实现ZnO微米线EHP激光的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111613968A
申请号 ：
CN202010360716.8
公开（公告）日 ：
2020-09-01
申请日 ：
2020-04-30
授权号 ：
CN111613968B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
姜明明万鹏阚彩侠唐楷马琨傑周祥博刘洋
申请人 ：
南京航空航天大学
申请人地址 ：
江苏省南京市秦淮区御道街29号
代理机构 ：
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
秦秋星
优先权 ：
CN202010360716.8
主分类号 ：
H01S5/327
IPC分类号 ：
H01S5/327 C23C14/04 C23C14/18 C23C14/35 C23C14/58
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-09-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/327
申请日 : 20200430
申请日 : 20200430
2020-09-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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