一种高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构
授权
摘要
本发明公开了一种高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构，管壳的内腔为三腔室结构，每个腔室内对应设置有管芯，腔室的底部设置有底板，管壳的两端分别设置有引线，一端的引线依次连接三个腔室内的管芯后与另一端的引线连接，三只管芯与底板烧结后经压焊工艺将三只管芯串联形成硅堆，管壳的上方设置有盖板，盖板与内腔之间填充有硅凝胶，形成高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构。本发明硅堆外壳结构减小了体积，提高了工作结温。
基本信息
专利标题 ：
一种高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111627864A
申请号 ：
CN202010496801.7
公开（公告）日 ：
2020-09-04
申请日 ：
2020-06-03
授权号 ：
CN111627864B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
张玉明刘文辉伍志雄王维乐白朝辉
申请人 ：
西安卫光科技有限公司;西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市电子二路61号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
高博
优先权 ：
CN202010496801.7
主分类号 ：
H01L23/06
IPC分类号 ：
H01L23/06 H01L23/10 H01L23/52 H01L25/07 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/06
按容器的材料或其电性能区分的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-09-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/06
申请日 : 20200603
申请日 : 20200603
2020-09-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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