一种三维沟槽型铁电存储器及其制备方法
授权
摘要
一种三维沟槽型铁电存储器及其制备方法，包括基底(1)和设置在基底(1)上的导电层(2)；导电层(2)上设置的层叠结构包括多层水平且交叠排布的隔离层(3)和控制栅电极(4)；多个沟槽型存储单元串(5)竖直贯穿层叠结构，其包括：竖直贯穿层叠结构且槽底嵌入导电层(2)中的沟槽孔(11)；沟槽孔(11)的侧壁和槽底依次铺设有缓冲层(6)、铁电薄膜层(7)、沟道层(8)和填充层(9)；控制栅电极(4)、缓冲层(6)、铁电薄膜层(7)、沟道层(8)组成多个相互串联的铁电场效应晶体管。本发明的铁电存储器能获得更为紧凑的布线，有利于实现更高密度集成；制备时依次沉积所需材料即可，无需刻蚀，保证铁电存储器的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种三维沟槽型铁电存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111799264A
申请号 ：
CN202010622397.3
公开（公告）日 ：
2020-10-20
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN111799264B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
曾斌建周益春廖敏
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
代理机构 ：
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑久兴
优先权 ：
CN202010622397.3
主分类号 ：
H01L27/11507
IPC分类号 ：
H01L27/11507 H01L27/11509 H01L27/11514 H01L29/78 H01L29/786 H01L21/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11502
具有铁电体存储器电容器的
H01L27/11507
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-11-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11507
申请日 : 20200630
申请日 : 20200630
2020-10-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
