一种提高红外及太赫兹芯片性能的方法及红外及太赫兹芯片
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摘要
本发明提供了一种提高红外及太赫兹芯片性能的方法及红外及太赫兹芯片。所述提高红外及太赫兹芯片性能的方法包括以下步骤：提供一核壳银纳米粒子；在所述红外及太赫兹芯片上布设所述核壳银纳米粒子；其中，所述核壳银纳米粒子在沸点为100‑170℃的反应介质中，在保护剂的存在下，于100～170℃的温度对核结构的前驱体进行至少一次还原处理得到核结构的纳米种子颗粒；并在25‑100℃的反应温度下，加入壳结构的前驱体进行至少一次还原处理得到。基于本发明的制造方法获得红外及太赫兹芯片具有高的调制深度和响应速度、宽的工作带宽，从而保证了太赫兹系统的性能理想。
基本信息
专利标题 ：
一种提高红外及太赫兹芯片性能的方法及红外及太赫兹芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111900231A
申请号 ：
CN202010773772.4
公开（公告）日 ：
2020-11-06
申请日 ：
2020-08-04
授权号 ：
CN111900231B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
赖伟恩方红云袁浩
申请人 ：
合肥工业大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区屯溪路193号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
夏苗苗
优先权 ：
CN202010773772.4
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 B22F9/24 B22F1/00 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-11-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20200804
申请日 : 20200804
2020-11-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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