TFT-LCD制程用铜钼合层蚀刻液
授权
摘要
本发明属于金属材料的化学法蚀刻技术领域，具体公开了TFT‑LCD制程用铜钼合层的蚀刻液。该蚀刻液由以下重量百分含量的原料组成：5%~25%的过氧化氢、2%~4%的螯合剂、1%~2%调节剂、0.05%~0.5%稳定剂、0.05%~0.5%缓蚀剂A、0.05%~0.5%缓蚀剂B、0.5%~1%多功能添加剂和余量的超纯水。本发明的TFT‑LCD制程用铜钼合层用蚀刻液蚀刻特性好，蚀刻液中铜离子含量从1000~7000ppm均能保持蚀刻角度在35~50°，CDloss在0.80±0.20um，蚀刻斜面直线度好，无钼残，无底切。可代替进口产品，具有非常大的工业价值。
基本信息
专利标题 ：
TFT-LCD制程用铜钼合层蚀刻液
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112030165A
申请号 ：
CN202010884685.6
公开（公告）日 ：
2020-12-04
申请日 ：
2020-08-28
授权号 ：
CN112030165B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
郭文勇邹玲詹洪张诗杨罗晓锋陆飚
申请人 ：
武汉迪赛新材料有限公司
申请人地址 ：
湖北省鄂州市葛店开发区1#工业区（创业服务中心）
代理机构 ：
武汉宇晨专利事务所
代理人 ：
余晓雪
优先权 ：
CN202010884685.6
主分类号 ：
C23F1/18
IPC分类号 ：
C23F1/18 C23F1/26 H01L21/77 H01L27/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/10
蚀刻用组合物
C23F1/14
含水组合物
C23F1/16
酸性组合物
C23F1/18
蚀刻铜或铜合金用的
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-12-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23F 1/18
申请日 : 20200828
申请日 : 20200828
2020-12-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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