晶体的镀膜方法
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摘要

本发明提供了一种晶体的镀膜方法,涉及光学元件加工的技术领域,晶体的镀膜方法包括:沿着预设切割轮廓,利用激光从基片上表面入射在基片内部进行改质切割,得到第一中间产物;对第一中间产物的上表面和/或下表面进行镀膜,得到第二中间产物;沿着预设切割轮廓,利用激光在第二中间产物上表面进行划切操作,对晶圆进行裂片处理,从而将目标产物与边角料分离。因为第一中间产物中的目标产物与边角料并没有分离,所以镀膜时,不会对目标产物的周向侧面产生污染,周向侧面不需要进行保护胶处理,更无需进行除胶处理了,简化了加工步骤。

基本信息
专利标题 :
晶体的镀膜方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112059442A
申请号 :
CN202010978089.4
公开(公告)日 :
2020-12-11
申请日 :
2020-09-17
授权号 :
CN112059442B
授权日 :
2022-05-06
发明人 :
丁伟尹群张峰余辉刘风雷
申请人 :
浙江水晶光电科技股份有限公司
申请人地址 :
浙江省台州市椒江区星星电子产业区A5号(洪家后高桥村)
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
孙海杰
优先权 :
CN202010978089.4
主分类号 :
B23K26/38
IPC分类号 :
B23K26/38  B23K26/402  G02B1/02  G02B1/10  
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B23
机床;其他类目中不包括的金属加工
B23K
钎焊或脱焊;焊接;用钎焊或焊接方法包覆或镀敷;局部加热切割,如火焰切割;用激光束加工
B23K26/00
用激光束加工,例如焊接、切割、或打孔
B23K26/36
除掉材料
B23K26/38
用于打孔或切割
法律状态
2022-05-06 :
授权
2020-12-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B23K 26/38
申请日 : 20200917
2020-12-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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