大规模电子束曝光版图的高精度邻近效应快速矫正方法
授权
摘要

本发明属于电子束邻近效应剂量矫正快速计算领域,公开了一种大规模电子束曝光版图的高精度邻近效应快速矫正方法。本发明首先将需要矫正的版图形状映射在该版图矩阵中,生成电子束曝光的二维版图,然后设置迭代参数,通过快速多极子方法优化卷积过程,并计算邻近效应矫正,最后将矫正至收敛的二维剂量矩阵结果转化为可用于直接曝光的文件格式。本发明实现了大规模电子束曝光版图的高精度邻近效应快速矫正,解决了任意形状的大规模电子束曝光的邻近效应矫正计算,有着低误差率、高收敛速度率和高计算效率的特点,对矫正的计算效率和精度极大提升,具有高计算精度、高计算效率等特点。

基本信息
专利标题 :
大规模电子束曝光版图的高精度邻近效应快速矫正方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111965936A
申请号 :
CN202011035302.4
公开(公告)日 :
2020-11-20
申请日 :
2020-09-27
授权号 :
CN111965936B
授权日 :
2022-06-07
发明人 :
刘杰姚文泽刘薇侯程阳段辉高陈艺勤
申请人 :
湖南大学
申请人地址 :
湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号
代理机构 :
国防科技大学专利服务中心
代理人 :
王文惠
优先权 :
CN202011035302.4
主分类号 :
G03F1/36
IPC分类号 :
G03F1/36  G03F7/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/36
具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正设计工艺
法律状态
2022-06-07 :
授权
2020-12-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/36
申请日 : 20200927
2020-11-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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