激光干涉光刻设备和方法
实质审查的生效
摘要

本公开提供了一种激光干涉光刻方法,包括:对涂覆有光刻胶的芯片执行干涉曝光;以及对经干涉曝光的芯片执行图案化泛曝光,其中执行泛曝光包括:确定在所述经干涉曝光的芯片中的第一光场分布;基于所述第一光场分布、预期的图案分布和用于所述泛曝光的泛光光源的参数,确定所述泛光光源的光场分布,作为第二光场分布;以及基于所述第二光场分布,对所述泛光光源的光场分布进行图案化,并控制具有经图案化的光场分布的所述泛光光源对经干涉曝光的芯片进行泛曝光,从而在经泛曝光的芯片中形成所述预期的图案分布。

基本信息
专利标题 :
激光干涉光刻设备和方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114509916A
申请号 :
CN202011282106.7
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2020-11-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李文迪甘斫非闵思怡
申请人 :
香港大学
申请人地址 :
中国香港薄扶林道
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
纪雯
优先权 :
CN202011282106.7
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20201116
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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