一种采用五次曝光的成像干涉光刻方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种采用五次曝光的成像干涉光刻方法，其特征是在传统三次曝光基础上，增加了沿－X方向和－Y方向两次偏置曝光，使参与成像的频谱成分更加丰富，有利于进一步提高光刻图形对比度和分辨率，并改善离焦情况下抗蚀剂图形特征的横向位移误差，提高图形空间位置精度。
基本信息
专利标题 ：
一种采用五次曝光的成像干涉光刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1752850A
申请号 ：
CN200510086830.1
公开（公告）日 ：
2006-03-29
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张锦冯伯儒刘娟
申请人 ：
中国科学院光电技术研究所
申请人地址 ：
610209四川省成都市双流350信箱
代理机构 ：
北京科迪生专利代理有限责任公司
代理人 ：
刘秀娟
优先权 ：
CN200510086830.1
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G02B27/60
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-08-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2006-03-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1752850A.PDF
PDF下载
