一种制备高长度一致性半导体激光器晶圆自然解理面的装置及其...
公开
摘要
本发明涉及一种制备高长度一致性半导体激光器晶圆自然解理面的装置及其使用方法，该装置提供新型光刻掩膜版和真空固定底座，将晶圆涂胶后在光刻掩膜版进行曝光，然后进行显影、刻蚀，在晶圆上制备深沟结构，再将晶圆固定在真空固定底座上，使得晶圆上的深沟结构深沟结构处于悬空；采用刀具从晶圆的深沟结构的右侧施加压力，使晶圆自然断裂，得到晶圆的自然解理面。采用本发明提供的装置制备晶圆自然解理面的长度具有较高的一致性。
基本信息
专利标题 ：
一种制备高长度一致性半导体激光器晶圆自然解理面的装置及其使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583544A
申请号 ：
CN202011368407.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙春明苏建郑兆河徐现刚
申请人 ：
山东华光光电子股份有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市历下区高新区天辰大街1835号
代理机构 ：
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵龙群
优先权 ：
CN202011368407.1
主分类号 ：
H01S5/02
IPC分类号 ：
H01S5/02
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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