接合散热器与半导体元件的方法及其散热器结构
公开
摘要
本公开涉及一种接合散热器与半导体元件的方法及其散热器结构，该方法包括：将散热器主体接近半导体晶片，使得散热器主体接合面上的热传凸块中的第一类热传凸块接触设置于半导体晶片上的热传垫；进行超音波震动，使得第一类热传凸块与热传垫产生键合；施加压力并进行超音波震动以压紧散热器主体和半导体晶片，使得热传凸块中的第二类热传凸块与热传垫产生键合。在第一类热传凸块接触热传垫前，第一类热传凸块相较于接合面具有第一高度，第二类热传凸块相较于接合面具有第二高度，第一高度大于第二高度。本发明通过散热器上不同高度热传凸块所形成的渐进式扩散键合，降低以超音波震动产生键合时所需的耗能和键合温度。
基本信息
专利标题 ：
接合散热器与半导体元件的方法及其散热器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582728A
申请号 ：
CN202011402481.0
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林育申郑坚地
申请人 ：
双鸿科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市新庄区五权三路6号3楼
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202011402481.0
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/367 H01L23/373
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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