具有(111)取向生长NZFO晶相柱阵列的BTO/NZF...
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摘要
本发明公开了一种具有(111)取向NZFO晶相柱阵列分布的BTO/NZFO复相多铁薄膜，首先通过溶胶‑凝胶法制得溶胶前驱体，接着在单晶硅基板上以旋涂方法制备首层薄膜，经过紫外臭氧预处理，再在快速升温炉中通过结合控制首层膜沉积厚度以及在高温下热处理，控制在首层膜层中实现包括分相、异相成核等过程，原位制备具有两相分离结构且NZFO结晶并具有(111)取向的诱导膜层，之后经过多步重复旋涂‑热处理过程获得复相膜，在复相膜上再覆盖BTO纯相膜以使其填充在NZFO晶相柱之间，本发明这种复相加单相的多层结构膜，成功实现了BTO/NZFO复相薄膜材料1‑3型微结构的原位形成，材料具有很高的磁电耦合效应。外加磁场作用下，在铁电相BTO居里点处获得高达40％的磁化突变，具有重要意义。
基本信息
专利标题 ：
具有(111)取向生长NZFO晶相柱阵列的BTO/NZFO复相多铁薄膜及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112713238A
申请号 ：
CN202011504188.5
公开（公告）日 ：
2021-04-27
申请日 ：
2020-12-18
授权号 ：
CN112713238B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
杜丕一田薇李谷尧吕爽王宗荣马宁
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
万尾甜
优先权 ：
CN202011504188.5
主分类号 ：
H01L43/10
IPC分类号 ：
H01L43/10 H01L43/12
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-05-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/10
申请日 : 20201218
申请日 : 20201218
2021-04-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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