一种交替生长的铁电薄膜的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种交替生长的铁电薄膜的制备方法，属于铁电薄膜技术领域。本发明的制备方法包括：称量预设比例的有机铪盐、多掺杂元素的有机金属盐置于容器中，再依次加入一元酸和有机溶剂；加热搅拌至澄清后持续搅拌至室温，获得不同溶液浓度、不同掺杂元素、不同掺杂量等多种前驱体溶液；将两种或多种前驱体溶液以交替的方式滴加至铂衬底上进行旋涂处理；执行退火操作获得交替生长的多元素掺杂Hf0.5Zr0.5O2(HZO)铁电薄膜。采用化学溶液沉积方法，能够在不使用大型设备的情况下制备出交替生长的多元素掺杂HZO铁电薄膜，制备工艺简单、设备成本低、易于规模化生产。
基本信息
专利标题 ：
一种交替生长的铁电薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420544A
申请号 ：
CN202210010418.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尹路卢彬彬周益春廖敏李欣雨
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
代理机构 ：
北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周新楣
优先权 ：
CN202210010418.5
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20220105
申请日 : 20220105
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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