一种用于弛豫铁电单晶生长的原料的制备方法
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摘要
本发明公开一种用于弛豫铁电单晶生长的原料的制备方法，包括：步骤（A）：根据弛豫铁电单晶材料的化学计量比，采用两步合成法制备作为弛豫铁电单晶生长的原料使用的熟料；步骤（B）：按照步骤（A）中弛豫铁电单晶材料的化学计量比称取铅的氧化物以及铅以外其它元素对应的氧化物，球磨混合均匀后作为生料；步骤（C）：将步骤（A）获得的熟料和步骤（B）获得的生料球磨混合均匀，得到用于弛豫铁电单晶生长的原料；其中，所述熟料占用于弛豫铁电单晶生长的原料的比例为z，且0.05≤z﹤1。本发明所述制备方法能够有效避免晶体中夹杂物产生，利于获得高纯度、高均匀性、优异压电性能的弛豫铁电单晶。
基本信息
专利标题 ：
一种用于弛豫铁电单晶生长的原料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112831839A
申请号 ：
CN202110016870.8
公开（公告）日 ：
2021-05-25
申请日 ：
2021-01-07
授权号 ：
CN112831839B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
刘锦峰许桂生朱秀陈梅林
申请人 ：
生物岛实验室;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区广州国际生物岛螺旋三路6号
代理机构 ：
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑优丽
优先权 ：
CN202110016870.8
主分类号 ：
C30B29/22
IPC分类号 ：
C30B29/22 C01G33/00 C01G21/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-06-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/22
申请日 : 20210107
申请日 : 20210107
2021-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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