基于复合材料阻塞效应的二氧化氮传感器及其制备方法

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摘要

本发明提供基于复合材料阻塞效应的二氧化氮传感器及其制备方法，涉及气体传感器与复合纳米材料技术领域，包括敏感器件，敏感器件上设置有气敏层，气敏层采用具有阻塞效应的复合材料制成；制备方法包括以下步骤：S1:对敏感器件基底进行预处理，包括清洗、干燥、亲水处理；S2:制备高分子聚合物分散液与无机传导材料分散液；S3:将敏感材料分散液沉积在敏感器件基底上形成气敏层；S4:将具有气敏层的敏感器件进行干燥与老化处理，得到基于复合材料阻塞效应的二氧化氮传感器。本发明二氧化氮传感器具有响应大、响应/恢复速度快、恢复性好、重复性好等特性，同时能在室温下工作，不需要借助光照或者加热等辅助手段，有助于绿色节能、低功耗器件的发展。

基本信息

专利标题：

基于复合材料阻塞效应的二氧化氮传感器及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112763551A

申请号：

CN202011596482.3

公开（公告）日：

2021-05-07

申请日：

2020-12-29

授权号：

CN112763551B

授权日：

2022-05-06

发明人：

太惠玲赵秋妮黄琦蒋亚东段再华王斯刘勃豪张亚杰

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

成都弘毅天承知识产权代理有限公司

代理人：

梁伟东

优先权：

CN202011596482.3

主分类号：

G01N27/12

IPC分类号：

G01N27/12