一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置，设计真空度测量技术领域，包括反应腔室、第一移动机构、第二驱动机构和用于测量反应腔室内真空度的真空测量件；通过第一驱动机构使得真空测量件沿安装轴的轴向运动，即可测量出离沉积反应不同高度处的真空度；通过第二驱动机构使得真空测量件沿垂直于安装轴轴线的方向运动，即可测量出与沉积反应同一高度，不同距离处的真空度。本实用新型具有可测量出不同位置处的真空度，提高控制压力区间的准确度的特点。
基本信息
专利标题 ：
一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020029167.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-02
授权号 ：
CN211717702U
授权日 ：
2020-10-20
发明人 ：
白秋云
申请人 ：
成都超纯应用材料有限责任公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流区西航港空港二路1166号
代理机构 ：
成都睿道专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
潘育敏
优先权 ：
CN202020029167.1
主分类号 ：
G01L21/00
IPC分类号 ：
G01L21/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L21/00
真空计
法律状态
2020-10-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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