一种新型双副室单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开一种新型双副室单晶炉，包括一机架、设置在机架上的一主炉室、一第一驱动机构与一第二驱动机构、以及与第一驱动机构、第二驱动机构输出端对应连接的第一副炉室与第二副炉室。本实用新型的是设计一种全新的双副室单晶炉，一个上部配置高精度提拉头的副室用于拉硅单晶棒，另一个上部配置低成本提升机的副室用于二次加料；从而节约停炉等待时间，大幅提高单炉的产出量和单晶炉主炉室的使用效率，减少电能和Ar气消耗，降低单晶硅生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种新型双副室单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020037070.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-08
授权号 ：
CN211734527U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
卢阳华马向东
申请人 ：
深圳晶鑫智造科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区龙城街道吉祥社区彩云路8号保成泰产业园E栋201
代理机构 ：
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人 ：
彭西洋
优先权 ：
CN202020037070.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/30 C30B15/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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