一种抗硫化芯片电阻器
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摘要

本实用新型公开了一种抗硫化芯片电阻器,所述抗硫化芯片电阻器包括基板、两个正面电极、两个背面电极、电阻层、第一保护层、第二保护层、两个辅助电极层、两个真空镀膜层及两个电镀层。电阻层设置在所述基板的正上面,第一保护层在电阻层上面;第二保护层在所述第一保护层的上方;两个辅助电极层分别设置在两个所述正面电极上,两个所述辅助电极层分别与同侧的第二保护层连接;每一真空镀膜层位于所述基板的侧面;两个电镀层分别设置在所述基板的两个侧面,及靠近侧面的正背面。该结构牢固密封性强,可以有效地避免在冷热冲击下,接口缝隙的形成;有效地抵挡高温,高湿及油煮等严苛条件下的硫化侵蚀,耐候性更强。

基本信息
专利标题 :
一种抗硫化芯片电阻器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020345310.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-18
授权号 :
CN211788403U
授权日 :
2020-10-27
发明人 :
张琦蔡东谋简高柏
申请人 :
国巨电子(中国)有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市新区竹园路10号
代理机构 :
苏州简理知识产权代理有限公司
代理人 :
杨瑞玲
优先权 :
CN202020345310.8
主分类号 :
H01C7/00
IPC分类号 :
H01C7/00  H01C1/024  H01C1/032  H01C1/034  H01C17/065  H01C17/28  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器;由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
2020-10-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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