一种拉晶系统
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摘要
本实用新型提供了一种拉晶系统，涉及太阳能光伏技术领域。拉晶系统包括单晶炉和连接于单晶炉的第一气源与第二气源；第一气源用于向单晶炉提供第一惰性气体，第二气源用于向单晶炉提供第二惰性气体；第一惰性气体的比热容大于第二惰性气体的比热容，单晶炉包括相连通的主室和副室；副室具有至少一个第一开口和至少一个第二开口；第一气源连接第一开口；主室具有至少一个第一连接口和至少一个第二连接口，且第二连接口位于第一连接口远离副室的一侧；第二气源连接所述第一连接口。在相同的温差下，第二惰性气体吸收的热量较少，可以保持主室温度的稳定，第一惰性气体吸收的热量较多，提供良好的垂直温度梯度，利于单晶硅棒快速生长。
基本信息
专利标题 ：
一种拉晶系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020760911.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-09
授权号 ：
CN212955443U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
贾祯梁永生冉瑞应党俊佳杨东金雪黑学兰
申请人 ：
银川隆基硅材料有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市（国家级）经济技术开发区开元东路15号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵娟
优先权 ：
CN202020760911.5
主分类号 ：
C30B27/02
IPC分类号 ：
C30B27/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B27/00
保护流体下的单晶生长
C30B27/02
自熔融液的提拉法
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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