一种基板台、沉积部和微波等离子化学气相沉积装置
授权
摘要
本实用新型提供一种基板台、沉积部和微波等离子化学气相沉积装置，该基板台包括基板、两个以上热电偶、两个以上加热单元和控制单元；所述基板底部设有两个以上凹槽，所述热电偶和所述加热单元设于所述凹槽内；所述控制单元与所述热电偶和所述加热单元连通。本实用新型降低基板的温差，使其更适合多晶或单晶的制备。
基本信息
专利标题 ：
一种基板台、沉积部和微波等离子化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020865177.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-21
授权号 ：
CN212316283U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
王垒温简杰
申请人 ：
上海昌润极锐超硬材料有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区陪昆路206号第18幢101室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
金彦
优先权 ：
CN202020865177.9
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00 C30B28/14 C30B29/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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