半导体晶粒相邻双面同时完全等光程共焦成像检测新装置
授权
摘要
本实用新型半导体晶粒相邻双面同时完全等光程共焦成像检测新装置在相邻双面成像光路中分别采用特殊设计的反射转像棱镜，或特殊设计的立方分束合像器/合像器来实现双面成像的空间分离的检测新装置与方法，该新装置可以实现半导体晶粒相邻双面同时完全等光程共焦成像检测，但是无需使用大景深远心成像镜头或偏振光学元件或CMOS偏振相机或玻璃平行平板分像光学元件，有效简化了检测系统的光学与精密机械结构，降低了检测装置的成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶粒相邻双面同时完全等光程共焦成像检测新装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021124017.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-17
授权号 ：
CN213337388U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
廖廷俤颜少彬黄启禄
申请人 ：
泉州师范学院
申请人地址 ：
福建省泉州市丰泽区东海大街398号
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
林捷
优先权 ：
CN202021124017.5
主分类号 ：
G01N21/95
IPC分类号 ：
G01N21/95 G01N21/03 G01N21/01
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/84
专用于特殊应用的系统
G01N21/88
测试瑕疵、缺陷或污点的存在
G01N21/95
特征在于待测物品的材料或形状
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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