窄间隙双层电路的电连接结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种窄间隙双层电路的电连接结构，以实现双层电路板在狭窄间隔内快速电连接。具体地，该电连接结构应用于两间隔叠设的第一电路板和第二电路板之间，其包括：设置于第一电路板上的第一沉铜孔，设置与第二电路板上的第二沉铜孔以及一电插接件。电插接件具有柱状端子以及包覆于柱状端子外周侧壁的金属弹片，金属弹片的具有相对柱状端子外周侧壁向外凸起的弧形部。电插接件依次插入第一沉铜孔和第二沉铜孔，金属弹片的弧形部在第一沉铜孔和第二沉铜孔的挤压下变形，与第一沉铜孔和第二沉铜孔的内周壁紧贴，使第一沉铜孔和第二沉铜孔形成电连接。
基本信息
专利标题 ：
窄间隙双层电路的电连接结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021300840.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-06
授权号 ：
CN212230635U
授权日 ：
2020-12-25
发明人 ：
杨林刘洋洋高敏
申请人 ：
深圳市三维电路科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区沙井街道和一社区蚝四西部工业区3栋二层R区
代理机构 ：
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人 ：
梁炎芳
优先权 ：
CN202021300840.7
主分类号 ：
H01R12/52
IPC分类号 ：
H01R12/52 H01R12/58 H01R4/48 H05K1/11
法律状态
2020-12-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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