一种双孔陶瓷基片及其天线
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摘要
本实用新型公开了一种双孔陶瓷基片，所述陶瓷基片为正方形结构，所述陶瓷基片上设置有通孔，所述通孔的直径小于所述通孔与所述陶瓷基片中心点的距离；所述通孔包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔分别设置于所述陶瓷基片的两条中心线上，所述第一通孔的直径与所述第二通孔的直径相等；所述第一通孔与所述陶瓷基片中心点的距离等于所述第二通孔与所述陶瓷基片中心点的距离。本实用新型的双孔陶瓷基片具有高介电常数，其制备的天线可以降低信号在接收和发射的相互干扰，避免噪音，且天线的增益得到了提升，降低了损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种双孔陶瓷基片及其天线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021312619.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-07
授权号 ：
CN213026473U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
龚毅辉徐海维何磊
申请人 ：
苏州博恩希普新材料科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州相城国家经济技术开发区漕湖街道春兴路9号4号厂房101、201室
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN202021312619.3
主分类号 ：
H01Q1/24
IPC分类号 ：
H01Q1/24 H01Q1/52 H01Q1/38
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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