一种射频前端器件的阻焊结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了一种射频前端器件的阻焊结构，包括层压板，在所述层压板上设有裸芯片器件，在所述裸芯片器件的贴装面上设有环氧薄膜层，在所述层压板与环氧薄膜层之间设有阻焊层。本实用新型能实现采用裸芯片进行一次封装，且能有效阻止表面覆膜进入芯片底部，可靠性和稳定性更好。

基本信息

专利标题：

一种射频前端器件的阻焊结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021375281.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-14

授权号：

CN212277197U

授权日：

2021-01-01

发明人：

张伟朱德进綦超王婕刘石桂李前宝

申请人：

天通凯美微电子有限公司

申请人地址：

浙江省嘉兴市海宁经济开发区双学路23号-1

代理机构：

浙江杭州金通专利事务所有限公司

代理人：

王丽丹

优先权：

CN202021375281.6

主分类号：

H01L25/16

IPC分类号：

H01L25/16 H01L23/31 H01L23/29

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L25/00

由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件

H01L25/16

包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的

法律状态

2021-10-26 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 25/16
登记生效日 : 20211013
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 天通凯美微电子有限公司
变更后权利人 : 天通瑞宏科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 314400 浙江省嘉兴市海宁经济开发区双学路23号-1
变更后权利人 : 314400 浙江省嘉兴市海宁市海昌街道谷水路306号1幢(东)

2021-01-01 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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