一种高纯锗单晶炉拉制装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种高纯锗单晶炉拉制装置，包括安装板，所述安装板顶部的左侧贯穿设置有钼杆，所述钼杆的底部固定连接有螺纹钼杆，所述螺纹钼杆的表面螺纹连接有石英杆，所述钼杆的两侧均开设有凹槽，所述凹槽内壁的底部贯穿设置有卡销，所述石英杆顶部的两侧均开设有卡槽，所述卡销的底部延伸至卡槽的内腔并与其内壁活动连接。本实用具备便于使用的优点，解决了现有的高纯锗单晶炉拉制装置在使用锗籽晶对热熔锗多晶进行拉制时，使用金属钼杆伸入单晶炉的高温区内，单晶炉内的高温区会对金属钼杆造成影响，容易造成杂质进入到锗多晶内，不便于自动控制锗籽晶进入到热熔锗多晶进行拉制，增加了使用者工作量的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种高纯锗单晶炉拉制装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021389289.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-15
授权号 ：
CN213037876U
授权日 ：
2021-04-23
发明人 ：
唐安泰李建平
申请人 ：
昆明汇泉高纯半导材料有限公司
申请人地址 ：
云南省昆明市安宁市温泉镇白塔村
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021389289.8
主分类号 ：
C30B15/32
IPC分类号 ：
C30B15/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/32
籽晶夹持器，例如籽晶夹头
法律状态
2021-04-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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