一种高纯锗用加热坩埚和直拉提纯装置
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型涉及一种高纯锗用加热坩埚和直拉提纯装置,所述加热坩埚包括外层和内层;所述内层为带有上沿的杯形结构,内部用于容纳锗原料,构成熔炼腔室;所述外层呈上下开口的筒形;所述外层套设于所述内层的外侧,且所述外层的顶部与内层的上沿密封连接;所述外层的直径大于所述内层的直径,二者之间构成具有底部开口的容纳空间。该加热坩埚通过设置双层结构并将加热器嵌套于坩埚的两层之间,能够隔离加热器与锗原料,避免了锗原料因加热器高温挥发杂质而受到污染,提高了锗单晶的品质,同时还保护了单晶炉内的高纯气氛,降低了生产成本。

基本信息
专利标题 :
一种高纯锗用加热坩埚和直拉提纯装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922373643.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-26
授权号 :
CN211471638U
授权日 :
2020-09-11
发明人 :
孔鑫燚李万朋许所成许兴马英俊林泉
申请人 :
有研光电新材料有限责任公司
申请人地址 :
河北省廊坊市廊坊开发区百合道4号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
董李欣
优先权 :
CN201922373643.1
主分类号 :
C30B29/08
IPC分类号 :
C30B29/08  C30B15/10  C30B15/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/08
法律状态
2022-04-19 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 29/08
登记生效日 : 20220408
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研光电新材料有限责任公司
变更后权利人 : 有研国晶辉新材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 065001 河北省廊坊市廊坊开发区百合道4号
变更后权利人 : 065201 河北省廊坊市三河市燕郊兴都村南有研科技集团有限公司二部
2020-09-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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