一种紫光LED外延的结构
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摘要
一种紫光LED的外延结构，包括阻挡层，所述阻挡层为铝镓氮阻挡层，包括多个循环的(氮化铝/ALxGa(1‑x)N/ALaInbGa(1‑a‑b)N)；P型铝镓氮结构；重掺杂P型ALGaN。本实用新型通过衬底上溅射ALN缓冲层，减少衬底和ALGaN材料之间因失配较大产生的缺陷，从而提高整个外延层的晶体质量，减少量子阱结构中的位错和缺陷，降低因缺陷产生的非辐射复合，提高内量子效应，另一方面还通过铝镓氮阻挡层以有效限制量子阱结构中的斯达克效应QCS，同时循环结构中的Mg掺杂ALxGa(1‑x)N增加材料界面的二维电子气，从而提升空穴注入发光区的能力，提升发光区中电子和空穴的复合效率。
基本信息
专利标题 ：
一种紫光LED外延的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021458089.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-22
授权号 ：
CN212991112U
授权日 ：
2021-04-16
发明人 ：
解向荣吴永胜
申请人 ：
福建兆元光电有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区（现住所：闽侯县南屿镇新联村6号）
代理机构 ：
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄以琳
优先权 ：
CN202021458089.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/06 H01L33/12 H01L33/14 H01L33/20 H01L33/32
法律状态
2021-04-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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