一种具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件
授权
摘要
本实用新型公开一种具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件。所述LED器件基于GaN基外延层制备而成，包括GaN基外延层、电流扩展层、P电极、N电极和钝化层；GaN基外延层包括衬底、N型GaN层即N‑GaN层、量子阱层（MQW）、P型GaN层即P‑GaN层；所述N‑GaN层包括刻蚀露出的N‑GaN层和刻蚀形成的N‑GaN层。本实用新型保证器件调制带宽的同时提高了发光效率，同时ICP刻蚀微米孔阵列后，继续采用电流扩展层腐蚀液继续腐蚀样品，预防电流扩展层在刻蚀过程中出现扩展导致的漏电。
基本信息
专利标题 ：
一种具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021535009.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-29
授权号 ：
CN214280002U
授权日 ：
2021-09-24
发明人 ：
王洪谭礼军姚若河王楷谢子敬
申请人 ：
华南理工大学;中山市华南理工大学现代产业技术研究院
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
江裕强
优先权 ：
CN202021535009.X
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/14 H01L33/24 H01L33/44 H01L33/00
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法律状态
2021-09-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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