器件
授权
摘要
本实用新型涉及器件。公开了一种包括在引线框架的至少部分上的金属氧化层的引线框架。更特别地，描述了在锡电镀层被形成之前具有在一个或多个引线上形成金属层和金属氧化物层的引线框架。在一个或多个引线与锡电镀层之间的金属层和金属氧化物层减少了锡晶须的形成，因此减少了短路的可能性，并且改善了封装结构和被生产的器件的总体可靠性。
基本信息
专利标题 ：
器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922397352.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN211879377U
授权日 ：
2020-11-06
发明人 ：
L·M·C·迪迪奥
申请人 ：
意法半导体国际有限公司
申请人地址 ：
瑞士日内瓦
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
郭星
优先权 ：
CN201922397352.6
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L21/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-11-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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