一种用于刻蚀硅基材料的微波等离子体发生装置
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摘要
本实用新型公开了一种用于刻蚀硅基材料的微波等离子体发生装置，以解决现有技术中谐振腔体内反射系数高、气体需混合后再通入、需要点火装置等问题。该微波等离子体发生装置采用圆柱型同轴谐振腔，谐振腔左右两侧各有一通孔，其中一侧通过螺纹连接SMA连接器，另一侧通过螺纹连接侧向poc‑m5c气体快插；微波能量经由SMA连接器馈入腔体，载气通过侧向气体通道导入腔体，工作气体经由空心内电极内径通道导入腔体，空心内电极通过中心定位环保证与腔体的同轴度；通过改变圆柱型同轴谐振腔结构参数得到符合要求的反射系数和出口端电场强度，保证装置的可靠点燃，从而使得谐振腔内的气体在微波能量的激发下于谐振腔开口端形成等离子体射流。
基本信息
专利标题 ：
一种用于刻蚀硅基材料的微波等离子体发生装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021695146.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-14
授权号 ：
CN216600171U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
余德平董宇庆余泳静苗欣冉汤智凯
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
四川省成都市武侯区一环路南一段24号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021695146.X
主分类号 ：
H05H1/46
IPC分类号 ：
H05H1/46
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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