一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件
授权
摘要
本实用新型适用于IGBT器件技术领域，提供了一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，包括底壳、导热硅胶、基板、模块、顶壳和承接壳，所述底壳的外侧面左右两端均焊接有固定板，所述底壳的内部下表面设置有稳定壳，且稳定壳的外侧面连接有橡胶环，所述底壳的底端设置有底端纵截面呈折线型结构的散热板，且散热板的内侧设置有导热硅胶，所述基板的左右两端均安装有螺钉，且基板的上表面安装有模块，所述底壳的上方设置有顶壳，且顶壳的顶端一体式连接有承接壳，并且顶壳的内部左右两端均固定安装有防尘网。该具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件，避免安装壁面上的潮气影响底壳，方便拆装基板，提高安装结构稳定性，便于定位连接。
基本信息
专利标题 ：
一种具有碳化硅厚膜的高性能IGBT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021803261.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN212648230U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
陈宇严丽红辛藤
申请人 ：
张家港迪源电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路沙洲湖科创园
代理机构 ：
北京集智东方知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴倩
优先权 ：
CN202021803261.4
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/16 H01L23/00 H01L29/739 H01L23/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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