一种IGBT芯片版图金属层

授权

摘要

本实用新型公开一种IGBT芯片版图金属层，芯片版图包括元胞区、终端区、栅极压焊点、发射极压焊点；所述终端区位于元胞区的外围，栅极压焊点、发射极压焊点位于元胞区内部；其特征在于，版图金属层包括发射极金属及栅极金属；所述发射极金属包括位于元胞区内部的第一发射极金属，以及位于元胞区与终端区连接过渡区的第二发射极金属；所述第二发射极金属在过渡区环绕构成等位环场板，并与第一发射极金属电连接；所述栅极金属环绕在第一发射极金属与第二发射极金属之间，并留有第一发射极金属与第二发射极金属电连接的通道。本实用新型能够满足发射极金属和栅极金属的设计要求，增加电流流通路径，改善电流均匀性，提高关断能力。

基本信息

专利标题：

一种IGBT芯片版图金属层

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021820854.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-27

授权号：

CN212659541U

授权日：

2021-03-05

发明人：

郭乔林泳浩李伟聪

申请人：

珠海市浩辰半导体有限公司

申请人地址：

广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-69243(集中办公区)

代理机构：

深圳市中科创为专利代理有限公司

代理人：

彭西洋

优先权：

CN202021820854.1

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02 H01L29/739