一种硅芯拉制炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅芯拉制炉，包括由下至上依次设置的料座、线圈及吹气环，料座主要由高度为120～140mm的支撑柱及设于支撑柱上方的放料平台组成，母料放置于放料平台上，线圈作用于母料的上部端头。采用了增加支撑柱高度和将料碗替换为放料平台的结构改进，支撑柱增加高度控制在30～60mm，母料直接放置在放料平台上，取消了现有料碗通过螺丝固定母料的方式，硅芯拉制不受影响，因此，在该结构的改进下，可将现有尾料高度100～170mm降低至40mm，降低了母料的浪费，有利于生产成本的控制。
基本信息
专利标题 ：
一种硅芯拉制炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021908265.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-04
授权号 ：
CN213172673U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
赵宝荣袁中华胡瑾游书华殷万鹏
申请人 ：
内蒙古通威高纯晶硅有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区荣华大街1号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
向丹
优先权 ：
CN202021908265.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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