一种适用于单晶硅片的高精度双面研磨装置
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摘要

本实用新型提供了一种适用于单晶硅片的高精度双面研磨装置,包括底箱、下研磨盘、上研磨盘、支架和液压伸缩杆,所述底箱内腔底部的中心位置上设置有外齿柱,所述底箱的上边沿为内圈齿a,所述外齿柱与内齿圈a之间的环空内设置有多个分别与外齿柱和内齿圈a相啮合的研磨盘,所述研磨盘上设置有多个镂空的单晶硅切片槽,通过在上研磨盘和下研磨盘之间设置符合加工厚度的研磨盘,使得待研磨的单晶硅切片能够研磨至相应厚度,提高了研磨精度,通过设置上研磨盘和下研磨盘,使得能够同时对单晶硅切片的两面进行研磨,提高研磨效率,通过研磨液供给装置与排水槽的配套使用,使得单晶硅切片避免因干研磨产生高温而是单晶硅切片的性能下降。

基本信息
专利标题 :
一种适用于单晶硅片的高精度双面研磨装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021930413.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-07
授权号 :
CN213380953U
授权日 :
2021-06-08
发明人 :
傅昭林张超代刚
申请人 :
成都青洋电子材料有限公司
申请人地址 :
四川省成都市崇州经济开发区同心路
代理机构 :
成都金英专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
袁英
优先权 :
CN202021930413.7
主分类号 :
B24B37/08
IPC分类号 :
B24B37/08  B24B37/12  B24B37/28  B24B37/34  B24B57/02  B24B55/02  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B24
磨削;抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺(用电蚀入B23H;磨料或有关喷射入B24C;电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00;磨具磨损表面的修理或调节;磨削,抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置;附件
B24B37/04
适用于加工平面的
B24B37/07
以工件或研具的运动为特征
B24B37/08
用于双侧研磨
法律状态
2021-06-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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