一种具有高可靠性的氮化物器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种具有高可靠性的氮化物器件。包括衬底、生长在衬底上的半导体外延层、栅极、源极以及漏极；外延层自下至上依次包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层、p型氮化物层、二次外延氮化物势垒层和二次外延绝缘介质层；p型氮化物层仅保留在栅极区域一次外延氮化物势垒层之上；二次外延氮化物势垒层生长过程无掩膜；二次外延氮化物势垒层和二次外延绝缘介质层位于一次外延氮化物势垒层和栅极区域的p型氮化物层之上；栅极形成含二次外延绝缘介质层、二次外延氮化物势垒层、p型氮化物层和一次外延氮化物势垒层的堆叠结构。有效实现高阈值电压、高导通、高稳定性、低漏电的半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高可靠性的氮化物器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021997202.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-14
授权号 ：
CN213184300U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
刘扬何亮
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
王晓玲
优先权 ：
CN202021997202.5
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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