一种沟齿边缘倒角的硅舟
授权
摘要
本实用新型为了克服现有技术中高温环境下，与沟齿边缘接触的硅片易产生划伤现象的技术问题，提供一种沟齿边缘倒角的硅舟，包括天板、法兰和沟棒，沟棒设置在天板和法兰之间，沟棒一端与天板相连，沟棒的另一端与法兰相连，沟棒包括本体和沟齿，沟齿的数目为若干个且沿本体的长度方向间隔排布，沟齿靠近天板的端面上设有接触凸台，接触凸台靠近沟齿远离本体的一端，所述接触凸台的外缘设有倒角。本申请所述硅舟结构可减小硅片与沟齿的接触面积，降低硅片接触错位和背面划伤等问题的发生概率，同时可避免沟齿边缘位置划伤硅片。
基本信息
专利标题 ：
一种沟齿边缘倒角的硅舟
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022006010.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-14
授权号 ：
CN213184238U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
范明明韩颖超李长苏
申请人 ：
杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
郑汝珍
优先权 ：
CN202022006010.X
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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