一种CVD工艺用硅舟
授权
摘要
本实用新型为了克服传统硅舟无法应用于CVD工艺，以及化学清洗液容易对硅舟造成结构损伤的技术问题，提供一种CVD工艺用硅舟，包括天板、法兰和沟棒，沟棒上设有沟齿，天板的一端设有第一熔接槽，法兰靠近天板的一端设有第二熔接槽，沟棒的一端设有与第一熔接槽相匹配的第一熔接头，沟棒的另一端设有与第二熔接槽相匹配的第二熔接头，第一熔接头和第一熔接槽通过热熔接固定相连，第二熔接头和第二熔接槽通过热熔接固定相连，硅舟表面设有氧化膜。所述硅舟可应用在CVD工艺中，硅舟表面的氧化膜对硅舟进行抗化学腐蚀保护，清洗操作时的化学清洗液不会对硅舟造成结构损伤，硅舟可以循环使用。
基本信息
专利标题 ：
一种CVD工艺用硅舟
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022005370.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-14
授权号 ：
CN213401121U
授权日 ：
2021-06-08
发明人 ：
韩颖超马志杰李长苏
申请人 ：
杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
郑汝珍
优先权 ：
CN202022005370.8
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 C23C16/458
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2021-06-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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