一种新型一体式斜槽硅舟
授权
摘要
本实用新型为了克服现有技术中直立槽型载体无法满足化学沉积工艺中硅片稳定性要求的技术问题，提供一种新型一体式斜槽硅舟，包括硅舟基体和设在硅舟基体上的沟齿槽，硅舟基体包括底板和与底板相连的侧板，侧板远离底板的一端设有限位件，侧板靠近底板的一端设有支撑件，限位件和支撑件均位于侧板内侧，侧板包括对称布置在底板两侧的第一侧板和第二侧板，沟齿槽包括限位沟齿槽和支撑沟齿槽，若干个限位沟齿槽沿限位件的长度方向间隔布置，若干个支撑沟齿槽沿支撑件的长度方向间隔布置，朝同一方向倾斜的限位沟齿槽和支撑沟齿槽配合形成支撑槽。本申请所述硅舟在气体流速变动时仍然可保证硅片的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种新型一体式斜槽硅舟
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022005734.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-14
授权号 ：
CN213519899U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
范明明韩颖超李长苏
申请人 ：
杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
郑汝珍
优先权 ：
CN202022005734.2
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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