一种石墨舟的饱和沉积工艺
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种石墨舟的饱和沉积工艺,具体为:将清洗后的石墨舟放入炉管进行饱和沉积的预准备;对所述石墨舟进行预轰击处理;对所述石墨舟沉积第一氮化硅膜;对所述石墨舟沉积碳化硅膜;对所述石墨舟沉积第二氮化硅膜。优先镀一层氮化硅,然后再镀碳化硅膜,最后再镀一层氮化硅膜,镀碳化硅膜位于两层氮化硅膜之间,可以做到碳化硅膜被腐蚀的同时,最底层氮化硅膜也同时被腐蚀,当底层的氮化硅达到被完全腐蚀去除时,碳化硅膜也达到了极大部分被腐蚀去除的状态,剩余细微部分的碳化硅也是疏松、起皮的状态。该种石墨舟饱和沉积工艺能使石墨舟更容易清洗,提高了清洗效率,进一步提高了生产效率和生产质量。
基本信息
专利标题 :
一种石墨舟的饱和沉积工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114361084A
申请号 :
CN202111576086.9
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
蔡二辉陈筑刘晓巍吴前进俞军余震杰
申请人 :
宁波尤利卡太阳能股份有限公司
申请人地址 :
浙江省宁波市海曙区望春工业园区杉杉路181-197号
代理机构 :
宁波甬致专利代理有限公司
代理人 :
高瑞霞
优先权 :
CN202111576086.9
主分类号 :
H01L21/673
IPC分类号 :
H01L21/673 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/673
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载