一种大功率瞬态抑制二极管吸取装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种大功率瞬态抑制二极管吸取装置，包括底座，所述底座的上表面两侧对称固定连接有滑轨，所述滑轨的上表面开设有第一滑槽，两个所述第一滑槽的内部均贯穿滑动连接有支架，所述支架位于第一滑槽内部的一端外表面贯穿有通过螺纹转动连接的第一丝杆。本实用新型中，能够将吸嘴移动到各个位置，进而便于将吸嘴上的二极管移动到需要的位置，减轻了操作者的负担，由于第一齿轮的齿数大于第二齿轮的齿数，使得第一齿轮可以缓慢地进行旋转，从而使得二极管的转动角度更加精准，从而提高产品的质量，通过支撑板和凹槽，从而可以适应各种大小的二极管的吸取，也保证了在吸取时不要人工进行二极管的调节拨正，进一步提高了工作效率。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率瞬态抑制二极管吸取装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022237974.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
CN212810262U
授权日 ：
2021-03-26
发明人 ：
邵贯敏
申请人 ：
无锡国电资通科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区硕放振发八路13号
代理机构 ：
无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘咏华
优先权 ：
CN202022237974.5
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2021-03-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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