一种高温压力传感器芯片
授权
摘要
本实用新型涉及一种高温压力传感器芯片，包括顶层硅结构和底层SOI结构；底层SOI结构由上至下依次分布的信号处理层硅、绝缘层氧化硅和感压层硅，顶层硅结构上设置有信号引出孔和位于下表面的压力腔，感压层硅的下表面设置有引压腔；信号处理层硅包括四个惠斯通电桥桥臂电阻R1、R2、R3、R4、四个惠斯通电桥电极E1、E2、E3、E4以及隔离键合层，信号处理层硅用于将压力信号转换为电信号。本实用新型提供的压力传感器基于SOI基底制成，使用氧化硅代替PN结作为其绝缘层，其最高使用温度达到500℃。
基本信息
专利标题 ：
一种高温压力传感器芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022283336.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
CN212269452U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
王立会邓杨
申请人 ：
广州市智芯禾科技有限责任公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区香雪八路98号C栋1109房
代理机构 ：
北京世誉鑫诚专利代理有限公司
代理人 ：
李世端
优先权 ：
CN202022283336.7
主分类号 ：
B81B7/02
IPC分类号 ：
B81B7/02 B81C1/00 G01L1/20 G01L9/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
B81B7/02
包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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