一种用于高基频晶片的镀膜夹具
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于高基频晶片的镀膜夹具，包括上掩膜板、下掩膜板和定位片，晶片位于上掩膜板和下掩膜板之间，晶片通过定位片进行固定位置后，再由上掩膜板和下掩膜板进行压紧固定。晶片在压紧固定过程中，定位片将晶片进行固定，工作时，晶片不能在定位片所在的平面移动。上掩膜板和下掩膜板将晶片压紧时，晶片不会出现上下运动。从而将晶片进行充分的固定，而不会发生移动的现象。本实用新型所提供的一种用于高基频晶片的镀膜夹具通过更改上下掩膜板厚度，将上掩膜板和下掩膜板以外的部分进行削减，利用上掩膜板凸台和下掩膜板凸台将定位片晶片孔位内晶片进行顶紧，达到固定晶片位置的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种用于高基频晶片的镀膜夹具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022345164.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-20
授权号 ：
CN214193428U
授权日 ：
2021-09-14
发明人 ：
刘青彦黄建友杨清明
申请人 ：
成都晶宝时频技术股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区西部园区百叶路8号
代理机构 ：
成都虹盛汇泉专利代理有限公司
代理人 ：
周永宏
优先权 ：
CN202022345164.1
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/50 H03H3/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2021-09-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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