一种专用于晶片镀膜的磁控溅射镀膜机
授权
摘要
本实用新型涉及一种专用于晶片镀膜的磁控溅射镀膜机。有离子轰击清洗装置和三个串联的真空室。所述离子轰击清洗装置,采用平行板电容器的原理:在两个极板上通入交流电,使极板间产生击穿,并充入适量氩气,对晶片进行氩离子轰击,达到对晶片进一步清洗的目的；所述三个串联的真空室,是加热室、清洗室和镀膜室。该磁控溅射镀膜机具有镀膜质量高、造价低廉等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种专用于晶片镀膜的磁控溅射镀膜机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921184303.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-26
授权号 ：
CN210620929U
授权日 ：
2020-05-26
发明人 ：
窦功禄
申请人 ：
西安拉姆达电子科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区丈八五路二号现代企业中心二号楼五零三区
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921184303.8
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-05-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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