多层穿芯片式压敏电阻
授权
摘要
本实用新型涉及压敏电阻技术领域，特别是一种多层穿芯片式压敏电阻，包括陶瓷主体；所述陶瓷主体厚度方向上设有通孔；所述通孔内设有第一外电极；陶瓷主体外侧厚度面上设有第二外电极；所述陶瓷主体的内部设有若干压敏电阻单元，所述若干压敏电阻单元之间相互独立；所述压敏电阻单元包括第一内电极和第二内电极；所述第一内电极与所述第一外电极连接，所述第二内电极和所述第二外电极连接。柱状体的外侧壁和通道与接插件的插接头匹配，能够方便的组装到接插件中，满足接插件对压敏电阻小型化的要求。
基本信息
专利标题 ：
多层穿芯片式压敏电阻
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022409219.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
CN213183811U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
康雪雅
申请人 ：
成都德兰特电子科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市川大路3段文星花园9栋
代理机构 ：
四川力久律师事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN202022409219.0
主分类号 ：
H01C7/12
IPC分类号 ：
H01C7/12 H01C1/14 H01C1/148 H01C1/142
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
H01C7/10
电压响应的，即压敏电阻器
H01C7/12
过电压保护电阻器；避雷器
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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