使用多扫描电子显微镜的晶片对准
公开
摘要
一种方法包括控制多扫描电子显微镜mSEM(32)，以在电动装卸台(90)处于第一定位的同时拍摄附接到电动装卸台(90)的晶片的第一影像(601)。第一影像(601)包括晶片(100)的凹槽(201)的至少一部分。该方法也包括基于第一影像(601)决定晶片(100)的径向轴(205)，以及控制电动装卸台(90)，以将晶片(100)沿着径向轴(205)位移晶片(100)的一半直径，以使电动装卸台(90)处于第二定位。该方法更包括控制mSEM(32)，以在电动装卸台(90)处于第二定位的同时拍摄晶片(100)的第二影像(602)。第二影像(602)包括晶片结构(112,112‑1–112‑4,113,261,262,272)。此外，该方法包括基于对第二影像(602)的晶片结构(112,112‑1–112‑4,113,261,262,272)的结构辨认，决定晶片(100)的参考定位(209)，以及基于参考定位(209)和径向轴(205)，将晶片(100)的晶片坐标系统(192)配准到电动装卸台(90)的载台坐标系统(191)。
基本信息
专利标题 ：
使用多扫描电子显微镜的晶片对准
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114391178A
申请号 ：
CN202080063251.8
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-09-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J.C.萨拉斯瓦图拉J.T.纽曼P.胡思沃尔T.科尔布R.哈努曼萨纳亚克
申请人 ：
卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请人地址 ：
德国上科亨
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王蕊瑞
优先权 ：
CN202080063251.8
主分类号 ：
H01L21/68
IPC分类号 ：
H01L21/68 H01L23/544 G05B19/402 G05B19/418
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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