用于预测晶圆上测量值的使用多级LSTM的工具控制
实质审查的生效
摘要
一种用于使用预测性长短期记忆的过程控制的方法，包括：获取在制造过程的先前产品上采集的历史后过程测量值；获取在制造过程期间在先前工件上采集的历史过程中测量值；响应于相应的历史过程中测量值和前面的历史后过程测量值，训练神经网络以预测历史后过程测量值中的每个历史后过程测量值；获取在制造过程期间在目前工件上的目前过程中测量值；通过提供目前过程中测量值和历史后过程测量值作为神经网络的输入来预测针对目前工件的未来后过程测量值；以及响应于对未来后过程测量值的预测来调整制造过程的至少一个可控制变量。
基本信息
专利标题 ：
用于预测晶圆上测量值的使用多级LSTM的工具控制
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503244A
申请号 ：
CN202080064612.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-09-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·T·潘R·巴塞曼R·莫拉利达尔F·蒂普N·阮
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约阿芒克
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
酆迅
优先权 ：
CN202080064612.0
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20200909
申请日 : 20200909
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
